ซ๊อดกี้ ไดโอด Schottky Diode

โดย : Admin

Schottky Diode ซ๊อดกี้ ไดโอด คืออะไร ?

 

 

Schottky diode (ตั้งชื่อตามนักฟิสิกส์ชาวเยอรมัน Walter H. Schottky) หรือที่รู้จักในชื่อ Schottky barrier diode หรือ hot-carrier diode   เป็นไดโอดสารกึ่งตัวนำที่เกิดขึ้นจากการรวมตัวของสารกึ่งตัวนำกับโลหะ ซึ่งมีแรงดันตกคร่อมในช่วงฟอร์เวิร์ด ไบแอส (Forward  bias) ที่ต่ำกว่าไดโอดทั่วๆไป และสามารถทำการสวิตซิ่งได้รวดเร็วมาก (very fast switching action) 

 

รูปโครงสร้าง และสัญลักษณ์ของ Schottky Diode

Schottky Diode  มีการออกแบบ P-N Junction แบบพิเศษ  ซึ่งมีคุณสมบัติดังต่อไปนี้

1. Forward voltage (Vf) ต่ำ :  ปกติแล้วไดโอดที่ทำจากสารซิลิคอน Silicon diode ทั่วๆไปอย่างเบอร์ 1N4007
  จะมีค่า Vf ประมาณ 0.6 - 0.7V  และเมื่อกระแสไหลผ่านมาก  Vf อาจมากถึง 1V  แต่สำหรับ Schottky Diode จะมี Vf เพียง 0.2 - 0.5V (แล้วแต่เบอร์)

2. Low junction capacitance:   junction capacitance (Cj) คือค่าความจุแฝงทางไฟฟ้าที่ปรากฏที่ junction
Diode ทั่วไปจะมี Cj ประมาณ 15 - 20 pF  แต่สำหรับ Schottky Diode จะมีค่า Cj แค่ 3 - 5 pF เท่านั้น ซึ่งทำให้สามารถทำงานกับความถี่สูงในวงจรประเภท RF ได้ดี

3. Fast recovery time :     recovery time สามารถอธิบายได้ในภาพนี้ดังต่อไปนี้

 

 

จากคุณสมบัติที่กล่าวไป  Schottky Diode จึงใช้ได้ดีในวงจร Switching  วงจรเกี่ยวกับ RF ใช้กับ Solar cell  และใช้เป็น Clamp diode ใน IC ประเภท TTL (ตระกูล 74S , LS)

 

 

เปรียบเทียบ สัญลักษณ์ ซ๊อดกี้ ไดโอด กับไดโอดที่ใช้ทั่วไปในวงจรเร็คติไฟร์และซีเนอร์ไดไโอด

 

ตัวอย่าง ซ๊อดกี้ ไดโอด ที่ใช้ในวงจรวงจรมอดูเลเตอร์แบบ AM

 

 

ที่มา: https://pantip.com  และ Wikipediaใแนท

 

เนื้อหาโดย: 9engineer.com (http://www.9engineer.com/)